我国半导体制造中枢技艺突破 仅次于光刻的贫寒材干冲突外洋把持
2024-09-20据国度电力投资集团有限公司(以下简称“国度电投”)9月10日音讯,近日,国度电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司(以下简称“核力创芯”)暨国度原子能机构核技艺(功率芯片质子发射)研发中心,完成首批氢离子注入性能优化芯片产物客户委用。 国度电投暗示,这记号着我国已全面掌执功率半导体高能氢离子注入中枢技艺和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的贫寒一环,为半导体离子注入竖立和工艺的全面国产化奠定了基础。 据国度电投先容,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的贫寒材干,在集成电路、功率半导体、