我国半导体制造中枢技艺突破 仅次于光刻的贫寒材干冲突外洋把持

　　据国度电力投资集团有限公司（以下简称“国度电投”）9月10日音讯，近日，国度电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国度原子能机构核技艺（功率芯片质子发射）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产物客户委用。

　　国度电投暗示，这记号着我国已全面掌执功率半导体高能氢离子注入中枢技艺和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的贫寒一环，为半导体离子注入竖立和工艺的全面国产化奠定了基础。

　　据国度电投先容，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的贫寒材干，炒黄金在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产物制造进程中起着要津作用，该领域中枢技艺及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，至极是600V以上高压功率芯片长久依赖入口。核力创芯的技艺突破，炒股冲突了外洋把持。

　　核力创芯在碰到番邦要津技艺及装备阻塞的不利条目下，宝石独力新生，自主改换，打造新质坐蓐力，在不到三年的时辰里，突破多项要津技艺壁垒，杀青了100%自主技艺和100%装备国产化，建成了我国首个核技艺期骗和半导体领域交叉学科研发平台。首批委用的芯片产物资历了累计近万小时的工艺及可靠性测西宾证，主要技艺认识达到国际先进水平，赢得用户高度评价。

• 我国
• 半导体
• 制造
• 中枢
• 记忆